[产品介绍]：

LED电源采用的最小体积N沟道高压MOS管4A 700V的参数资料

4N70 N沟道功率MOSFET

4安培，700伏

描述：

4N70是一个高电压MOSFET，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门收费，低通态电阻和高雪崩坚固耐用。这高速开关功率MOSFET的功率通常用品，PWM马达控制，高效率的直流－直流转换器和桥电路。

特点：

RDS （ ON）= 2.8Ω @V

GS= 10 V

*超低栅极电荷（典型的15 NC）

*低反向传输电容（C

RSS=典型8.0 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

封装：

TO-251, TO-252, TO2-20F,TO-220