一、单晶硅差压变送器产品概述： 目前国际市场上广泛采用的硅芯片技术而言，扩散硅硅压阻技术成本较低，其信噪比特性与稳定性不足；硅谐振技术加工工艺复杂，导致加工成本高，过压特性不好；单晶硅硅压阻技术，完美的结合了CMOS 技术与MEMS 技术，信噪比高、温度特性好、过压特性强，完全适用于工业过程控制领域。我公司采用德国原装MD 系列高稳定性单晶硅压力芯片，该芯片具有多项全球领先的性能，在欧洲广泛应用于工业自动化、航空航天、核能等领域。全对称布局芯片惠斯通电桥与引线布局，采用梅花镜像对称布局。全对称布局、均衡受力，减小噪声来源，同时也方便一次封装，提高稳定性与一致性。
二. 单晶硅差压变送器采用德国MD 系列单晶硅芯片
1： 1kPa ..... 40MPa 标准量程1kPa, 6kPa, 40kPa, 400kPa, 4MPa, 40MPa 六个标准量程，涵盖过程控制全压力范围。全球最小标准量程1kPa，保证微差压段最优性能。全球独创 桥路电阻：10kΩ有效控制温度影响保证输出信号超高信噪比，功耗最低。
2：全球第一的过压性能1kPa 芯片过压达1.5MPa（1500 倍过压）6kPa 芯片过压达2.5MPa（400 倍过压）绝大部分微差压应用可实现无中心膜片结构，提高整体准确度与静压特性，同时简化传感器结构、降低成本，让利于用户。
3：芯片单晶硅层厚度达2.5mm 在硅芯片技术中，硅片的尺寸与有效硅层的厚度将对:芯片的成本和性能起到很关键的作用。而且统一的传感器芯片材质，将更好的实现温度特性，让芯片在温度变化时，
应力特性一致。德国MD系列芯片，采用全单晶硅材质，尺寸与厚度都为行业内最大，不惜成本，注重品质。
三. 采用德国智能化SOC信号处理芯片
1：单晶硅差压传感器专用 SOC 芯片 MSC-1801智能温度补偿、最大限度发挥单晶硅传感器的特性。
2：单晶硅差压传感器专用 MCU 芯片 PIO18F46K22功能灵活，无缝配合MSC-1601、MSC-1801，实现低成本，高性能、高可靠。
3：单晶硅差压传感器专用 ADC 芯片 LTO2415A行业最高 24 bit ADC，提高单晶硅传感器信号分辨率，降低噪声。
4：单晶硅差压变送器HART 芯片 MSC-15QN完全兼容 Smar Research 的 HT2015，全球最小封装，提高了外接晶振频率，增加了输出端口。
1.高准确度
差压（流量）变送器在0.5~500kPa的测量范围内，可进行高准确度测量。
标准校验量程精度：±0.065％
正负零点迁移，无需进行线性度调整
2.优异的环境适应性
智能静压补偿和温度补偿，保护变送器不受温度、静压与过压的影响，将现场的综合测误差控制到最小
3.灵活的量程压缩
微量程（0~6kPa)量程比：40:1
中量程量程比：100:1
4.优异的操作性和使用便利性
备有5位带背光LCD数字显示器
多种显示功能(Pa、kPa、MPa、bar、mbar、％、 psi、mmH2o）
内置三按键快捷操作就地调整功能
备有各种抗腐蚀材料
全面自诊断功能
高稳定性单晶硅传感器：无滞后、无漂移，
最高可达±0.05%量程上限/10年。
高精度：±0.065%
宽范围量程比：100:1
独特的超稳定微差压变送器,最小标准量程1kPa传感器设计,芯片过压达1.5MPa(1500倍过压),彻底解决金属电容微差压传感器的先天不足。
七：灵活多样的壳体，给客户提供最贴心的服务
推出灵活多样的OEM方案，传感器尺寸及壳体样式均可更改，多种壳体可供选择，为用户量身定做高质量产品。
