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2MBI50N-060、2MBI50L-060富士IGBT模块
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100
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产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌
FUJI/富士通
型号
2MBI50N-060
类型
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管
沟道类型
P型沟道
导电方式
增强型
适合频率
高频
封装外形
SMDSO/表面封装
材质
N-FET硅N沟道
工作电压
350V
工作电流
120A
最大允许功耗
150W
用途
132
外形尺寸
12mm
加工定制
非加工定制
IGBT
10*13
模块
15*20
电子元器件 > 场效应管 >
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