工厂定制 高散热型 氮化铝 铜基覆铜板 陶瓷基 制冷 绝缘片
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氮化铝导热陶瓷 有着良好的导热性能广泛应用于： 薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等
AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
性能指标
Ø(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
Ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
Ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
Ø(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；
Ø(5)光传输特性好；
Ø(6)无毒；
AlN陶瓷基片主要性能指标 |
性能内容 | 性能指标 |
热导率(W/m·k） | ≥170 |
体积电阻率（Ω·cm） | ＞1013 |
介电常数[1MHz,25℃] | 9 |
介电损耗[1MHz,25℃] | 3.8х10-4 |
抗电强度(KV/mm) | 17 |
体积密度（g/cm3） | ≥3.30 |
表面粗糙度Ra(μm) | 0.3~0.5 |
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) | 4.6 |
抗弯强度(MPa) | 320~330 |
弹性模量(GPa) | 310~320 |
莫氏硬度 | 8 |
吸水率(%) | 0 |
翘曲度(~/25(长度)) | 0.03~0.05 |
熔点 | 2500 |
外观/颜色 | 灰白色 |
注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1μm；
2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，最小值±0.10mm；
3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。
氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。
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