描述
stp4435是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑
它是利用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用，如液晶显示器背光，笔记本电脑等
计算机电源管理和其他电池供电电路。

特征
-30V / -9.2a，RDS（上）= - 22MΩ（典型值
@ VGS = - 10V
-30V / -7.0a RDS（ON）＝30m，
@ VGS = 4.5v
超高密度电池设计
极低的RDS（on）
l特殊的阻力和最大值
直流电流的能力
SOP-8封装设计