描述STN36N10D使用沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和栅极电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。
特征100V / 20.0a,RDS(上)= 40mΩ(典型值@ VGS = 10V100V / 20.0a,RDS(上)= 42mΩ@ VGS = 4.5V超高密度电池设计极低的RDS(on)特殊的阻力和最大直流电流能力252,to-251包装设计
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