描述STN4526是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用,如电源管理和其他高侧开关的电池供电电路
特征40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)@ VGS = 10V40V/8.0A,RDS(ON)= 31mΩ@ VGS = 4.5V超高密度电池设计极低的RDS(on)特殊的阻力和最大直流电流的能力SOP-8封装设计
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