描述
stn1810是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力,并提供优越的
开关性能。这些应用程序,如笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路,高侧开关,低内联
功率损耗和抗瞬态融合
特征
100V,8.0A,RDS(ON)= 140m??(典型值)
@ VGS = 10V
100V / 6.5.0a,RDS(上)= 1.5m??
@ VGS = 7.0V
超高密度电池设计
极低的RDS(on)
特殊的阻力和最大
直流电流的能力
SOP-8封装设计


