描述stn4488l是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑这是使用高密度组织沟槽技术生产。它适用于电源管理在便携式或电池供电系统中的应用。
特征30V / 20A,RDS(ON)= 3.8mΩ(典型值)@ VGS = 10V30V / 18A,RDS(ON)= 52mΩ@ VGS = 4.5V超高密度电池设计极低的RDS(on)特殊的阻力和最大直流电流的能力SOP-8封装设计
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