型号替代：STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK​

描述
STC6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管
DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力
并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用
如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在高侧
开关，低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。

特征
N沟道
60V /幅，RDS（ON）= 35毫欧（典型值）
@ VGS = 10V
60V / 4.0A，RDS（ON）= 40毫欧
@ VGS = 4.5V
P沟道
- 60V / -5.0a，RDS（上）= 60毫欧（典型值）
@ VGS = - 10V
- 60V / -3.0a，RDS（上）= 80毫欧
@ VGS = 4.5v
超高密度电池设计
极低的RDS（on）
特殊的阻力和最大
直流电流的能力
SOP-8封装

部分产品可代替ANPEC茂达、FAIRCHILD仙童、AOS、VISHAY威世等

ST2300SRG可替代WNM2016

ST2301A可替代Si2301、AO3423、FDN302P、FDN342P、FDN338P、APM2313、APM2323、STM2309

ST2302替代Si2302、TN0200T、FDN339AN、FDN371N、FDN335N、APM2314、APM2324、SSM3K102TU

ST2303替代Si2303、Si2307、Si2323、AO3405、AO3409、AO3421、FDN360P、FDN358P、FDN352AP

ST2305可替代Si2305、FDN304P、APM2301、NTR4101PT1G、RTR030P02、IRLML6402

ST3400SRG替代NTR4170NT1G

ST2341SRG替代AO3415、PPM3T20V6、SM2307PSA

ST2300替代SI2312、AO3416 AO3420、AP2302AGN/PNMT20V06

ST2304替代Si2304 Si2306 AO3406 NDS355AN  APM2306

ST2305A替代FDN306P、DMP2035U

ST2400S23RG替代AO3400、AP2305AGN、IRFML8244

ST3401M替代AO3401、CES2307

ST3422A替代AO3422A、ZXMN6A07F、G2301A

STN1810替代AO4886

STN4402替代Si4420  Si4882  Si4820  Si4894  AO4420 /4404B  AO4422    AO4446 FDS6630A    FDS6614A     FDS6680   FDS6924 APM4820 IRF7413/AP4800AGM XZN4420

STP4407可替代AO4407、APM4315K

STP4435A替代Si4431、Si4435、Si4425、AO4411、AO4415、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4419、si9804

STN4438替代ME4436

STN4488L替代AO4728L、IRF7832、SI7898DP、AO4410

STC4606替代SI5504、AO4606

STC4616替代Si4567、AOS4614

STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930/MDS5951

STN4920替代Si4920、AO4812

STP4953替代Si4953、AO4803、FDS8958、APM4953

ST9435替代Si9435、Si4431、AO4405、FDS9435、SSM9435GM

 ST16N10替代APM1110NUB、IRLR/U120NPbF、CEU12N10L

ST13P10替代SFR9120、AM1A16PSU/UB、IRF9530

STN8882D替代SUD50N024、AOD452、FDD7030BL、LR3103、IRFR3707