二氧化硅抛光液
本系列产品是一种高纯度低金属离子型抛光产品,
广泛用于多种材料纳米级的化学机械抛光,如硅片、
化合物晶体、精密光学器件、蓝宝石等抛光加工。
多种粒度(20-120nm)满足用户需求。
产品介绍:
该产品是引进日本FUJIMI公司和美国杜邦(DUPON)公司配方专利生产,适用于半导体材料如硅片,锗单晶片,砷化镓晶片,
硬盘玻璃,蓝宝石晶片,碳化硅晶片的(CMP)化学表面抛光工艺,具有去除速率高、使用方便、抛光效果好等特点。抛光
后晶片表面的粗糙度可以达到0.2um以下,同时可以提高晶片的粗糙度和平行度等,而且无划伤,无抛光雾。该产品是替代
进口产品的最佳选择。
产品特征:
1.去除速率高:硅片的单位去除率可以达到0.9-1.2um/min,降低抛光工艺所需要的时间,提高生产效率;可循环使用,稀释比例大。
2.使用方便:本抛光液适用于通用的抛光工艺。
3.抛光效果好:抛光表面粗糙度好无划伤,不会出现抛光雾。
储存条件:
适宜温度0℃-50℃,避免暴晒。
产品参数:
含量(SiO?%计) | 25%-42% |
PH | 9.0-11.2 |
比重 | 1.04-1.10 |
钠(以Na?O计) | <0.20% |
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