简介;
抗干扰吸波材料可以宽频带内有效降低电磁波的直射,反射,绕射和表面波辐射.可靠性,稳定性好,涂复自由方便,附着力强,寿命长.它可消除屏蔽腔体内电磁波的来回反射,减少杂波对自身设备的干扰,也有效防止电磁辐射对周围设备及人员的骚扰和伤害,是一种消除电磁波污染的高级手段。将吸波材料应用于电子设备中可吸收泄露的电磁辐射,能达到消除电磁干扰的目的。
一、应用
应用于电子设备中可吸收泄露的电磁辐射,能达到消除电磁干扰的目的。根据电磁波在介质中从低磁导向高磁导方向传播的规律,利用高磁导率铁氧体引导电磁波,通过共振,大量吸收电磁波的辐射能量,再通过耦合把电磁波的能量转变成热能。
吸波材料应用于各类电子产品,如电视、LED显示屏、音响、VCD机、电脑、数码相机、游戏机、微波炉、移动电话中,可以使电磁波泄露降到国家卫生安全限值(10微瓦每平方厘米)以下,确保人体健康。将其应用于高功率雷达、微波暗室、微波医疗器、微波破碎机、电子兼容的吸收屏蔽,能保护操作人员免受电磁波辐射的伤害。
日常应用如智能支付手机、POS机、各种智能卡、RFID射频卡、RFID读写器、读卡器、各种智能门禁、WIF,天线等
频率范围:110KHz~3GHz
比重:≤3~4.0 g/cm3
工作温度:-25℃~125℃
相对湿度:≤95%
安全性:无毒、无味、无卤素、无腐蚀、对人和环境友好。
适应性:附着力强、抗振动、抗腐蚀、抗紫外辐射、抗老化性能优良。
二、特性(Characteristics) | | | |
特性 | 代表值 | 测试方法 |
吸波片 | 聚合物 | N/A |
引张强度 | 4.6Mpa | ASTM D 1000 |
虚磁部分 | 120 | 1000MHz |
使用温度 | "-25~125"℃ | 长时间 |
表面电阻 | 1.6*105Ω | 代表值 |
比重 | 3.1g/cc | |
频率 | 1MHz~5GHz | 代表值 |
介电强度(DC) | 400V | 5mm(0.1mA/1mA 漏电) |
导热系数 | 0.6W/mK | ASTM D 5470 |
粘着强度 | >1.0 kgf/inch | ASTM D 1000 |
厚度 | 0.2mm | |
阻燃 | 无证书,但符合 UL-94V0 |
RoHS | 满足RoHS &不含PVC |
弹性基材 | |
有效频率范围 | 100KHz--3000MHz |
可选材料 | 片材0.08mm,0.15mm,0.2mm,0.25mm0.3mm,0.5mm,1mm |
使用温度范围 | -25℃-125℃ |
胶带厚度(mm) | 0.01-0.05 |
环保项目 | 无铅无卤素 |
阻然等级 | UL94-V0 |
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三、评价吸波材料的主要参数:
1、吸波材料的电物理性能:
1)电阻率(ρ),介质损耗很小或可忽略不计时,在金属介质、半导体介质型吸波材料中,其吸波性能主要由泄漏电导决定的。所以电阻率对吸波性能有很大影响。对于金属电阻的本质,在正常状态下声子和晶格缺陷所引起的电子散射是产生金属电阻的原因。对于半导体晶体,电导率是由于导电的电子由价带跃迁到导带的热效应的结果。此外,除了自由电子导电,半导体还有空穴导电的特征。
表1为几种半导体的电物理特性,利用这些电物理特性可以指导制备性能优异的吸波材料,例如对碳化硅的电阻率的控制,对碳化硅吸波材料的性能有很大影响。
2)复介电常数(ε)和复磁导率(μ),是吸波材料电磁特性的基本参数,其先进性和实用性是用来评价吸波材料性能优劣的主要依据。实验表明:碳化硅的介电常数随烧结温度变化范围较大,通过调整烧结温度达到调节电磁参数(ε,μ)的目的,可得到高频(50GHz)下使用的性能优良的吸波材料。
3)介质损耗角(tgδ),是表征吸波材料的重要的电磁参数,多应用于实践。
tgδ=ε’’/ε’
ε’’-外加电场下,材料磁偶距重排引起损耗的量度
ε’-电场作用下产生的极化程度
2、吸波材料的物理化学条件:
1)当金属粉或金属组分的尺寸超过趋肤深度值一个数量级或者不多于一个数量级,而且有介电性能的组分使按容积均匀分布的金属组分完全绝缘时,则材料的吸波能力最大;
2)在热作用、腐蚀作用及其它影响的条件下,吸波材料的结构、成分及性能应具备高度的稳定性。
3、吸波材料的热物理性能,影响吸波材料的性能稳定的重要因素之一。改善吸波材料的耐热冲击性,克服其在高温条件下性能恶化,吸波材料的研究方向之一即提高其热稳定性。吸波材料的热稳定性与材料的成分、物理化学性能、机械性能及制品形状、尺寸还有工作条件和实验条件有关。