富士的特点 1、采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
2、参数离散性小,便于批量使用
3、可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性能价格比
4、型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
5、600V IGBT单管最大工作结温可达Tjmax≤175℃,其他品牌都是150°C
6、内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管,且容量与IGBT容量一致,工业级.
7、正温被系数饱和压降易于并联使用

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