德国Sglux 碳化硅基紫外光电二极管 SG01D - B18
短路 (10μW/cm 2 峰值)
6.25 nA
SG01D - B18 碳化硅基紫外光电二极管，感光面积 A = 0.50 mm2，仅用于响应 UVB 波段◆ 一般特点SG01D–B18 紫外光电二极管的特性● UVB波段响应, 芯片高稳定性（通过德国PTB认证）● 感光面积 A = 0.50 mm2● TO18密封金属外壳， 1绝缘管脚和1接地管脚● 10μW/cm2 峰值辐射约生成 6.25 nA电流关于碳化硅(SiC) 材料SiC具有独特的特性，可承受高强度的辐射，对可见光无反应，产生的暗电流低，响应速度块和噪音低。这些特性使得SiC成为制备可见光盲半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以在温度高达170℃(338℉)的环境下长期工作。信号（响应度）的温度系数也很低，< 0.1%/K。由于噪音低（fA级的暗电流） ，所以能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。
选项SiC光电二极管有7个不同的感光面积可供选择，从 0.06 mm2 到36 mm2 。 标准版本是宽波段UVA-UVB-UVC。四个滤波版本的感光范围相对较小。所有光电二极管都配有密封的金属外壳（TO封装），直径为5.5 mm的TO18外壳或9.2 mm的TO5外壳，配置2只管脚（1绝缘，2接地）或3只管脚（2绝缘，1接地）。
◆ 规格参数光谱特性峰值波长处的典型响应度：0.125 AW–1光谱响应度的波长：280 nm响应波长范围 (S=0,1*Smax )：231 ~ 309 nm可见盲区 (Smax/S >405nm )：> 10 10一般特性 (T=25°C)感光面积：0.50 mm2暗电流 (1V反向偏压)：1.7 fA电容：125 pF短路 (10μW/cm 2 峰值)：6.25 nA温度系数：< 0.1 %/K额定值工作温度：–55 ~ +170 ℃储存温度：–55 ~ +170 ℃焊接温度 (3s)：260 ℃反向电压：20 V
