此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm，640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合，同时采用Kovar气密封装，且表面镀有抗反射膜。同时，提供二级制冷产品640x512-TE2及体积更小，质量更轻的640x512面阵探测器 FPA 640x512-KM。
Features（特点） | 640*512阵列格式 | 25um 象元间距 | Kovar metal一级制冷 | 低暗电流 | 高量子效率 | 高可操作性 |
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| | Applications（应用） | 近红外成像 | 超光谱 | 秘密监察 | 半导体检测 | 天文学和科学 | 工业热成像 |
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FPA-640*512说明
参数 | 单位 | 最小值 | 最大值 |
工作温度范围 | ℃ | -20 | +85 |
储存温度范围 | ℃ | -40 | +85 |
功耗 | mW | --- | 325 |
TEC 电流 | A | --- | 1.8 |
TEC 电压 | V | --- | 15.4 |
FPA Characteristics（FPA特性）
参数 | 典型值 | 条件 |
光谱响应 | 0.9-1.7um | --- |
最小像素的可操作性 | >99% | 636*508内的中心地区 |
暗电流 | <0.2PA | 25℃,0.1V探测器偏压 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探测率 | ≥5*1011 jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
响应非均匀性 | <10% | 饱和度低于50%,25℃ |
非线性(最大偏差) | <2% | 超过15%-85%全阱容量，低增益 |
最大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e- | 25℃ |
TEC 制冷 | ΔT>70℃ | 无需加载 |
