管内气液两相流压力降确定的复杂性：

(1)气液两相流没有直接的类似于摩擦系数与雷诺数之间的关系。

(2)气液相流速不同，存在相对运动，产生内摩擦损失而使压力降低。

(3)由于液相滞留量存在，管内实际流通截面积减小，会使压力降增加。

(4)在垂直管内，液相连续不断的上升和下降，也会消耗能量而形成压力降。

炉管内气液两相流的适宜流型：

炉管内汽液两相流的流型最.好是雾状流(不允许出现液节流)；

泡点附近允许出现环状流或分散气泡流，除此之外，其它流型均应避免；

当定位点表示的流型完全不符合要求时，可以缩小炉管直径或加大注入的水蒸汽量来获得适宜的流型。

管式炉结构

炉管系统：

1、炉管：是炉子的重要部件，有辐射管和对流管。

炉管表面积就是加热炉的传热表面积。其金属耗量占炉子总钢耗量的百分之四十到五十，投资占百分之六十以上。炉管直径有102mm 、127mm 、152mm

等几种，

    管壁厚度一般为6~12mm ，辐射管因其外壁受火焰直接辐射，管内受油品较高温度、压力和腐蚀联合作用，选材时应考虑材料的耐热性、耐高温强度及耐腐蚀性。

2、炉管连接件即炉管弯头，常见有箱式弯头和“U” 型弯头。

3、炉管支承件，常见的支承件有导向架和拉钩，以对立管导向或保持稳定。水平管则常用托管架，或挂管架支承

。对排列密集的炉管则用管板支承。对多路并联管为均匀分布各支路流体则用拔制集合管。

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。