管内气液两相流压力降确定的复杂性:
(1)气液两相流没有直接的类似于摩擦系数与雷诺数之间的关系。
(2)气液相流速不同,存在相对运动,产生内摩擦损失而使压力降低。
(3)由于液相滞留量存在,管内实际流通截面积减小,会使压力降增加。
(4)在垂直管内,液相连续不断的上升和下降,也会消耗能量而形成压力降。
炉管内气液两相流的适宜流型:
炉管内汽液两相流的流型最.好是雾状流(不允许出现液节流);
泡点附近允许出现环状流或分散气泡流,除此之外,其它流型均应避免;
当定位点表示的流型完全不符合要求时,可以缩小炉管直径或加大注入的水蒸汽量来获得适宜的流型。
管式炉结构
炉管系统:
1、炉管:是炉子的重要部件,有辐射管和对流管。
炉管表面积就是加热炉的传热表面积。其金属耗量占炉子总钢耗量的百分之四十到五十,投资占百分之六十以上。炉管直径有102mm 、127mm 、152mm
等几种,
管壁厚度一般为6~12mm ,辐射管因其外壁受火焰直接辐射,管内受油品较高温度、压力和腐蚀联合作用,选材时应考虑材料的耐热性、耐高温强度及耐腐蚀性。
2、炉管连接件即炉管弯头,常见有箱式弯头和“U” 型弯头。
3、炉管支承件,常见的支承件有导向架和拉钩,以对立管导向或保持稳定。水平管则常用托管架,或挂管架支承
。对排列密集的炉管则用管板支承。对多路并联管为均匀分布各支路流体则用拔制集合管。
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说,它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反应形成的。