MOSFET/场效应管SI2300
产品型号：SI2300
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:20V
漏极电流（ID）:3.8A
漏源电流脉冲IDM:15A
栅源电压（VGS）:±10V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.25W
栅源极开启电压VGS(th):0.55~1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由参与导电，也称为。它属于电压控制型。具有高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和晶体管的强大竞争者。场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与相比，场效应管具有如下特点。
特点
（1）场效应管是电压控制，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端极小，因此它的很大。
（3）它是利用多数导电，因此它的较好；
（4）它组成的的电压放大要小于三极管组成放大电路的放大系数；
（5）场效应管的抗能力强；
（6）由于不存在杂乱的少子扩散引起的，所以噪声低。