在AOD409 / AOI409采用先进沟道技术提供了优秀的研发RDS （ ON），低栅极电荷和低栅极电阻。具有优异的耐热性的DPAK封装的，该装置很适合于高电流负载的应用。
VDS -60V
ID (at VGS=-10V) -26A
RDS(ON) (at VGS=-10V) < 40mΩ
RDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 55mΩ
100% UIS Tested
100% Rg Tested
数据列表
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标准包装| 2,500 |
包装 | 标准卷带 |
类别 |
产品族 |
规格
FET 类型| MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 功能| 标准 | 漏源极电压（Vdss）| 60V | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）| 26A（Tc） | 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）| 40 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）| 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）| 54nC @ 10V | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）| 3600pF @ 30V | 功率 - 最大值| 2.5W | 工作温度| -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型| 表面贴装 | 封装/外壳| TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商器件封装| TO-252，（D-Pak） |
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联系方式：
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