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接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。

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硅片直径300mm　要适合多代技术的需求

经济利益的驱动是硅片直径由200mm向300mm转移的主要因素，300mm的出片率是200mm的2.5倍，单位生产成本降低30%左右。300mm工厂投资为15到30亿美元，其中约75%用于设备投资，因此用户要求设备能向下延伸3至4代。300mm片径是从180nm技术节点切入的，这就要求设备在150 nm、130nm，甚至100nm仍可使用。

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所有人都知道英特尔作为全球半导体的领军企业，但新型半导体工艺的实现并不是Intel一家就能做到的，背后默默贡献半导体设备的功臣却往往不为人所知。Arete Research LLC公司的分析师Jagadish Iyer在一份报告中指出，Intel即将最终决定22nm光刻工艺设备的供应商，最终入围的是荷兰ASML Holding NV和日本尼康两家。其实在更早的45nm世代，ASML和尼康也曾双双成为Intel的光刻设备供应商，但在32nm节点上Intel应用了沉浸式光刻技术，只有尼康一家提供相关设备。