张家港晋宇达电子科技有限公司
从晶体管问世算起,半导体技术的发展已有多半个世纪了,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番,每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展现在片径已达300mm,DRAM半节距已达150nm,MPU栅长达100nm。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,对半导体设备带来前所未有的挑战。
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硅片直径300mm 要适合多代技术的需求
在刻蚀方面如英国Trikon公司采用的螺旋波等离子体(MORI)源,在电磁场作用下控制等离子体和改善均匀性,它能在300mm片内对氧化物介质均匀地刻25nm通孔,深/宽比达30:1。目前300mm片径生产180nm、150nm、130nm的IC设备都已进入生产线,100nm的也开始提供。
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半导体光刻技术F(2)准分子激光曝光据国际半导体杂志Aaron Hand介绍,光源是几个研究单位联合研制的;13nm的波长太短,几乎所有材料都能吸收它,研制捕获这种光的装置十分困难;反射镜光学表面为非球面,表面形貌及粗糙度小于一个原子;所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层,每层厚约λ/4,控制在0.1埃精度;EUV光刻采取新的环境控制,来抑制沾污;短波长,无缺陷掩模制作难度极大;样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。