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半导体光刻技术F(2)准分子激光曝光据国际半导体杂志Aaron Hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，每层厚约λ/4，控制在0.1埃精度；EUV光刻采取新的环境控制，来抑制沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度极大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。

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分类编辑光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动

 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；

 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程  序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要，恩科优的NXQ8000系列可以一个小时处理几百片wafer。

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光刻机/紫外曝光机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。