晋宇达电子是一家专门从事提供集成电路生产线关键设备 光刻机的销售、安装、翻新、改造、再制造、备件耗材及技术咨询成套解决方案的高新技术企业。

      一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

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      光刻机/紫外曝光机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.

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光刻注意事项给出如下：

曝光

曝光是通过具有所要图形的模版，将图形传递到胶模上。光源一般采用汞灯或汞氙灯，所发光波长为紫外。对于正胶来说，曝光使得透光区的大分子链被破坏，显影的时候这部分被去除；而对于负胶来说，曝光使得透光区的小分子发生交连，显影时这部分被保留。所以正、负胶对于同一块模版来说，所刻出的图形是互补的。