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GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。

与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有更好的性能。

高倍聚光砷化镓三结太阳电池芯片，具有转换效率高、可靠性优异、抗辐照能力强等优点.

以下为砷化镓电池与硅光电池的比较

1、光电转化率

砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。

硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到27%，而多结的

砷化镓电池理论效率更超过50%。实际应用中硅的效率在18%左右，砷化镓却能达到40%。

2、耐温性

常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。

A. 空间用：转换效率η≥30%

B.  地面用：转换效率η≥40%

下图为三结砷化镓电池片的结构及组成：

电池材料：GaInP2/GaAs/Ge；

减反射膜：TiOx/Al2O3；

芯片尺寸：11×10.2 mm2±0.01mm2；

                （产品尺寸可根据客户要求定制）

有效面积：100 mm2；

芯片厚度：175±20μm；

电池电极：N-P；

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