三极管BU406 TO-220简介：

BU406是硅NPN型大功率双极性晶体管，由于HFE较低，故适用于低频开关电路的功率放大。

集电极最大允许电流ICM=7.0A 
集电极-基极反向击穿电压BVCBO=400V 
集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=200V 

发射极-基极反向击穿电压BVEBO=6V
频率FT:10 MHZ
结温Tj=150℃ 
贮藏温度TSTG=-65~150℃ 
放大倍数分档：60-65\65-70\70-75\75-80
产品封装：TO-220

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

　　发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。