众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:第1，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容

    金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

　5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最1大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

　　6、PDSM—最1大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最1大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

　　7、IDSM—最1大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最1大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。