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      Nikon系列光刻机中，掩膜版的直角坐标系统、硅片的直角坐标系统、硅片上曝光成像图形的坐标系统以及硅片工作台的直角坐标系统，掩膜版坐标系统的原点是掩膜版的中心，硅片坐标系统的原点是硅片的中心位置，而硅片上曝光成像图形的中心，亦即该坐标系统的原点是掩膜版中心在硅片上投影成像点的位置。

传统光刻机的演变和所面临的挑战

      光刻机是诸多现代技术高度集成的产物， 这些技术是：物理学，光学，化学，材料科学，精密机械，精密控制，工程学等等。在过往的20几年中，光刻机作为半导体制造业的重要设备，经历了很多次革命。这些变革是伴随着微处理器和DRAM特征尺寸的不断缩减发生的演变。 由于光刻的分辨率与曝光波长、物镜光阑孔径的关系为：分辨率=K1λ/NA所以光刻机的革命主要发生在这样几个方面[2－8]：大NA非球面镜光学系统，短波长光源，分辨率增强技术（降低K1因子），同步扫描工件台等。

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      光刻机的匹配使用是指同一产品不同的工艺图层可以分别在不同型号或同一型号不同系列的光刻机上进行光刻，而不影响光刻工艺的质量。亦即保证达到各个工艺图层所要求的套刻精度和线宽控制要求。为达此目标，必须对工艺线上同时使用的光刻机进行各种误差的匹配调整。