晋宇达电子是一家专门从事提供集成电路生产线关键设备 光刻机的销售、安装、翻新、改造、再制造、备件耗材及技术咨询成套解决方案的高新技术企业。

光刻注意事项给出如下：

前烘

　　前烘的目的是去除胶模中的绝大部分溶剂，增强胶模的光敏性。还可以改善胶模的均匀性和黏附性。前烘温度不高，一般为100℃左右。

晋宇达电子是一家专门从事提供集成电路生产线关键设备        

光刻机的销售、安装、翻新、改造、再制造、备件耗材及技术咨询成套解决方案的高新技术企业。光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。

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     光刻机中工作台上设置有一个特定的检测系统(1NSITU)，在检测系统上设置了几组基准标记(FiducialMark)，每台设备中各基准标记相对于曝光轴之间的距离是一组设备常数，在设备出厂前作为机器常数存放在相应的软件文件中。但由于硬件安装、环境变化等多方面原因会造成实际位置和设备常数之间有一个偏差值，即所谓的基准补偿值(BaselineOffset)，通过标准片在不同设备上曝光的位置可以求出隔栅误差的各种差异，进而根据匹配要求，适当加入-定量的基准补偿值进而达到最.佳的隔栅误差匹配。