150度高温存储器FLASH

我司供应如下高温产品：

150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。

双倍数据速率2 存储器 (DDR2)双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列 (BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒，甚至 2.5纳 秒的低循环次数 (Cycle time) ，因此可达到 800 兆赫 (MHz) 的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间 (Latency) 。不过，双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情况下，他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。

150度高温存储器25LC256

北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器，此款存储器存储容量256kb，温度可到175度，很多客户采用串联方式使用，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！

数据存储器：与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。当然，也可以使用并行EEPROM或闪存，但通常它们只被用作程序存储器。当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。针对非易失性存储器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口，FRAM在一些系统中得到应用。

150度存储器

150度高温存储器 我司目前仅有25LC系列，H 150度温度级别小容量64K bit现货，数量不多欢迎选购。另外其同系列，256k bit. 25LC640A  25LC256.如有兴趣，欢迎致电本司。

存储器的主要功能是存储程序和各种存储器 (16张) 数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。