| 型号 | FQD6N40C品牌 | FQD6N40C封装 | FQD6N40C批号 | FQD6N40C备注 |
| | | | 全新原装现货 |
FQD6N40C 6N40C 仙童品牌 400V TO-252 场效应管
FQD6N40C 400V N沟道QFET® C系列
该N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和DMOS 技术生产。这种先进的MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
4.5A，400V，RDS(on) = 1.0Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 2.25A 时）
低栅极电荷（典型值 16nC)
低 Crss（典型值 15pF)
100% 经过雪崩击穿测试
数据列表
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标准包装| 2,500 |
包装| 标准卷带 |
类别 |
产品族 |
系列 |
规格
FET 类型| N 沟道 | 技术| MOSFET（金属氧化物） | 漏源极电压（Vdss）| 400V | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）| 4.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）| 10V | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）| 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）| 20nC @ 10V | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）| 625pF @ 25V | Vgs（最大值）| ±30V | FET 功能| - | 功率耗散（最大值）| 2.5W（Ta），48W（Tc） | 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）| 1 欧姆 @ 2.25A，10V | 工作温度| -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型| 表面贴装 | 供应商器件封装| D-Pak | 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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