炉型选择的原则是什么？

答：1）热负荷小于1MW时，宜采用纯辐射圆筒炉；

2）热负荷在1～30MW时，一般选用辐射—对流型圆筒炉；

3）热负大于30MW时，一般选用立式炉或箱式炉；

4）管内介质易裂解、易结焦，或产品品质要求高而需避免介质局部过热和裂解时，应选用卧管（水平管）底烧炉型；

5）管内含固体颗粒时，应选用卧管立式炉或螺旋管圆筒炉；

6）管内介质为气—液两相流时，易选用卧管炉；

7）炉管材料价格昂贵，或因允许压降小，或介质停留时间短而要求缩短炉管总长度时，宜选用单排管双面辐射炉；

8）介质体积流量特别大，允许压降又特别小时，宜选用集合管连接、多路并联的门型管或U型管炉型。

PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型：

直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分。

间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样

品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。

直接法又分成两种：

（1）管式PECVD系统：即使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。这种设备的主要制造商为德国的Centrotherm公司、中国的捷佳伟创公司、第四十八研究所、七星华创公司、青岛赛瑞达公司。

（2）板式PECVD系统：即将多片硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，放入一个金属的沉积腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电场的作用下在空间形成等离子体，分解SiH4中的Si和H，以及NH3中的N形成SiNx沉积到硅表面。这种沉积系统目前主要是日本岛津公司在进行生产。

间接法又分成两种：

（1）微波法：使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气，产生SiNx分子沉积在样品表面。这种设备目前的主要制造商为德国的Roth&Rau公司。

（2）直流法：使用直流源激发等离子体，进一步离化氨气和硅烷气。样品也不与等离子体接触。这种设备由荷兰的OTB公司生产。

弗炉煅烧的原理

煅烧：在一定温度下，于空气或惰性气流中进行热处理，称为煅烧或焙烧。

煅烧是天然化合物或人造化合物的热离解或晶形转变过程；此时化合物受热离解为一种组分更简单的化合物或发生晶形转变。碳酸盐的热离解称为焙解。煅烧作业可用于直接处理矿物原料以适于后续工艺要求，也可用以化学选矿后期处理而制取化学精矿，满足用户对产品的要求。  

煅烧过程主要发生的物理和化学变化有：

(1)热分解。除去化学结合水，CO2，NOx等挥发性杂质，在较高温度下，氧化物还可能发生固相反应，形成有活性的化合状态；

(2)再结晶，可得到一定的晶形、晶体大小、孔结构和比表面；

(3)微晶适当烧结，以提高机械强度。  影响煅烧过程的主要因素： 煅烧温度、气相成分、化合物的热稳定性等。因此根据各种化合物（如碳酸盐、氧化物、氢氧化物一硫化物、含氧酸盐等）的热稳定性不相同，采用控制煅烧温度和气相组成，可以选择性改变某些化合物的组成或发生晶形的转变，再用相应方法处理，可以达到除去杂质和使有用组分离富集的目的。