材料介绍

电子封装是将一个具有一定功能的集成电路芯片（包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片）放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境，保护芯片不受或少受外部环境影响，使集成电路具有稳定正常的功能。同时封装也是芯片输出、输入端向外过渡的连接手段，与芯片共同形成一个完整的整体。电子封装材料要求具有一定的机械强度、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性，并根据集成电路类别和使用场所的不同，选用不同的封装结构和材料。

       在功率电子器件和电路中散热是一个不可避免的副产品。热沉材料有助于消散芯片热量，将其传输到周围的空气中。

钼铜、钨铜、CMC和CPC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率，可有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT 模块、RF功率放大器、LED 芯片等各种产品，可用于大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件（热沉材料）和引线框架。

功率半导体封装管壳

IGBT模块

产品规格

我们可以提供如下产品用于功率电子器件和电路中：

热沉材料

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电子封装材料

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钨铜合金

产品优势：产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa•m3/S可完全通过。 不添加任何活化烧结元素如铁、镍、钴、锰。具有良好的热导性能及热膨胀匹配性能。优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。

产品规格：钨铜裸片及表面镀镍、镀金。

钼铜合金

产品优势：钼铜合金相比较于钨铜合金，其密度较低。产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa•m3/S可完全通过。具有高热导率和较低的热膨胀系数，优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。

产品规格：钼铜裸片及表面镀镍、镀金。

铜-钼铜-铜、铜-钼-铜

产品优势：CPC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，芯材为钼铜或钼，双面覆以铜。其以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案，有助于冷却 IGBT 模块等各种大功率元器件。

产品规格：我们可以为客户提供各种厚度和不同层数结构的层片结构材料，以满足客户的各种使用要求。

典型热沉材料性能表

钼原片

产品优势：我司的钼原片具有优异的热导率和导电率，热膨胀系数与基板匹配性高，可以为客户提供裸片和镀层产品。产品广泛应用于电力半导体器件大功率晶闸管，快速晶闸管。

产品规格：圆形钼原片：厚度: 0.05 ~ 7.0 mm；直径: 2.5 ~ 150.0 mm

AlSiC

产品优势：（AlSiC）铝碳化硅IGBT基板是高铁上必不可少的零件。铝碳化硅复合材料是将碳化硅陶瓷与金属铝复合而成的新材料，将陶瓷与金属的优秀品质齐集一身，热导率高、热膨胀系数低、比刚度好、质量轻，是理想的功率电子基板材料和衬底材料，与电子芯片焊接后可实现良好工作匹配。铝碳化硅基板封装的IGBT产品广泛应用于高铁驱动、地铁驱动、新能源汽车、风力发电、焊接机器人等行业。

AlSi

产品优势：主要用于电子封装，在微波功率器件，集成功率模块，T/R模块等电子功率器件中，利用硅铝合金作为电子封装材料的基座，外壳，盒体，盖板，匹配性好，可提供更好的散热，能极大的延长封装大功率模块的使用寿命，可靠性增加。该材料具有重量轻（密度2.4—2.7g/cm3），热导率高，热膨胀系数低，刚度高，易于机加工，表面镀覆性能以及焊接性能好，材料致密性好，耐高温，耐腐蚀等特点。

公司优势

公司通过ISO9001、14001和OHSAS18001体系认证，为您提供持续稳定合格的高品质产品。

国内钨渗铜、钼渗铜材料的发明单位，60年代开始研制生产。

发展了Mo-Cu和W-Cu材料体系多个牌号的配套材料。

五十多年持续的配套生产，具有丰富的研发和生产经验，产品质量和技术保持领先水平。

可以为您提供稳定可靠地全系列钨铜、钼铜产品。

拥有齐全配套的检验设备，可及时为客户提供产品性能检测数据。