产品用途

本系列设备适用于科研单位、高等院校、工矿企业理想的实验和生产设备

主要用于高温精密退火、微晶化、陶瓷釉料制备、模具退火、粉末冶金、塑胶粉沫实验、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切做高温工艺要求的热处理

产品特点

壳体采用优质冷轧钢板双层结构独特设计，壳体颜色漆经过高温烘烤而成，经久耐用。

配有风冷系统，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快等优点。

真空系统采用特种设计，具有操作方便、真空度高、真空泄露小，（极限真空度：10-5pa）

密封系统采用不锈钢法兰与炉管及耐高温O型硅橡胶密封，气体经过流量计后由针阀开关控制，阀控配有进气阀、排气阀、抽真空阀，可充氮气、氩气等一切惰性气体

炉膛采用进口复合氧化铝纤维材料经独特工艺构筑，比传统电炉节能30%

控制系统采用微电脑人工智能调节技术，具有50段程序编程，并可编制各种升温、恒温、降温程序，控温精度高

晶体模块化可控硅控制、移相触发；采用优质加热元件

控制面板：全部采用数字化控制具有（超温、超压、超流、断偶、断电等保护功能）

（炉管、加热区可根据客户要求定制！）

回转式空气预热器的优缺点：

优点：换热表面上冷凝的酸液量和硫酸浓度不断变化，露点腐蚀比管式空气预热器轻；快速流动的空气可以起到一些吹灰作用，减少了积灰；因换热元件连续转动，只一个单孔摆动吹灰器，就可以吹到冷端截面上各个部位的积灰；便于对腐蚀后的元件进行更换或调换放置位置。

缺点是有转动部件，故漏风量较多，能耗大，制造要求较严格，造价较高。

分类

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。

过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。

最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。