广州市尤特新材料有限公司是一家扎根于电子信息材料行业的高新技术企业，以生产信息存储记录材料为起点，顺延产业技术发展的方向，深耕产业技术应用的潜力，经过11年的开拓已发展成为拥有电子浆料（贵金属镀膜技术）、金属薄膜靶材（真空镀膜靶材技术）信息存储记录材料（激光读写光盘生产技术）、工程塑料（PC再生造粒及改性技术）、触控显示材料（手机、平板触摸屏材料）、石墨烯材料（导电、散热）、UV化工材料（UV油墨、UV电子胶粘剂）这七大核心技术为中心的产业集团。
靶材的主要性能要求
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
广州市尤特新材料有限公司是一家扎根于电子信息材料行业的高新技术企业，以生产信息存储记录材料为起点，顺延产业技术发展的方向，深耕产业技术应用的潜力，经过11年的开拓已发展成为拥有电子浆料（贵金属镀膜技术）、金属薄膜靶材（真空镀膜靶材技术）信息存储记录材料（激光读写光盘生产技术）、工程塑料（PC再生造粒及改性技术）、触控显示材料（手机、平板触摸屏材料）、石墨烯材料（导电、散热）、UV化工材料（UV油墨、UV电子胶粘剂）这七大核心技术为中心的产业集团。
众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用 产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发， 预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近 年来平面显示器（F P D）大幅度取代原 以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增 加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持 续增加． 这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域，以及这些领域靶材发展的趋势。
广州市尤特新材料有限公司是一家扎根于电子信息材料行业的高新技术企业，以生产信息存储记录材料为起点，顺延产业技术发展的方向，深耕产业技术应用的潜力，经过11年的开拓已发展成为拥有电子浆料（贵金属镀膜技术）、金属薄膜靶材（真空镀膜靶材技术）信息存储记录材料（激光读写光盘生产技术）、工程塑料（PC再生造粒及改性技术）、触控显示材料（手机、平板触摸屏材料）、石墨烯材料（导电、散热）、UV化工材料（UV油墨、UV电子胶粘剂）这七大核心技术为中心的产业集团。
微电子领域
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是最苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的 硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅 片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和 细晶粒， 这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性 已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关 系极大，过去99.995 %（4 N5） 纯度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！ 导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与 有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡 层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻 挡层用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等 ．但是T a 、W 都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬 等的台金作为替代材料。
