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单晶硅与多晶硅是太阳能光伏晶硅组件的两条技术路线，因晶格排列不同而区分为单晶、多晶。业内普遍的观点认为，单晶硅具有发电量高的优势，但成本偏高。然而，最1新的数据显示，两者的电站综合建造成本几乎持平，并且，在后期运维方面，单晶硅具有一定优势。
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制备单晶硅的工艺要求非常苛刻，包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场，以及缺陷预测。一般来说，前期的设计、优化 和预测 并不能完全依靠高成本的实验来实现。可以通过专业的计算机数值仿1真工具来实现晶体生长数值模拟，如FEMAG的FEMAG/CZ模块[能能对直拉法（Cz法）进行模拟、FEMAG/FZ模块能对区熔法（FZ法）模拟，还有CGSIM等，以达到对单晶硅制备工艺的预测。
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单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上1最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
