性能参数

TPIN-SW-M

探测器类型

InGaAs PIN

波长响应范围

1100 – 1700 nm

响应度@850nm

0.5 A/W

光敏面直径

500 μm

耦合方式

FC法兰盘

RF OUTPUT@1

RF带宽(-3dB)

150 MHz

50 MHz

5 MHz

0.3 MHz

0.1 MHz

转换增益(V/A)

0.3×103

0.3×104

0.3×105

0.3×106

0.3×107

饱和光功率(dBm)

7

-3

-13

-23

-33

线性范围(dB)

22

22

22

22

22

均方根噪声(RMS)

0.6

1.2

1.2

1.2

2.7

噪声等效功率(NEP)

180 pW/√Hz

44 pW /√Hz

6.4 pW /√Hz

8.2 pW /√Hz

3.2 pW /√Hz

输出电压范围(V)

±3 V

±4.5 V