中文名称:氧化铟
英文名称:Indium (III) oxide
CAS号:1312-43-2;12672-71-8
:In2O3
分子量:277.6342
存储方法
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置
合成方法
1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
3.将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。
3.将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
主要用途
1.用作光谱纯试剂和电子元件的材料等2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜，也用于制造铟盐、玻璃。
S26:In case of contact with eyes, rinse immediately with plenty of water and seek medical advice.不慎与眼睛接触后，请立即用大量清水冲洗并征求医生意见。
S36:Wear suitable protective clothing. 穿戴适当的防护服。
折叠编辑本段系统编号
CAS号：1312-43-2;12672-71-8
MDL号：MFCD00011060
EINECS号：215-193-9;235-765-1
RTECS号：NL1770000
PubChem号：24852170
