纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量：靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

生产高纯银的电解工艺大多采用低酸工艺，一般认为：游离HNO3的作用在于改善电解液的导电性，但含量不易过高，否则会使阴极析出银返溶，故实际生产中通常电解液含硝酸浓度约在3~15g/L，对应pH值约0. 6~1. 3。银电解在电解工艺中，Cu2+具有改善电银粉晶体结构、增强电解液导电性能、减少电解液浓差极化等功效，所以银电解工艺过程中，采用通过在银电解液中加入Cu2+的方法或者在银阳极中添加微量金属铜，但必须控制银电解液中Cu2+浓度小于50g/l进行精炼。但铜离子过高，会引起铜在阴极的析出，从而影响高纯银的品质。

混汞法提金：混汞法提金工艺是一种古老的提金工艺，既简便，又经济，适于粗粒单体金的回收。我国不少黄金矿山还沿用这一方法。随着黄金生产的发展和科学技术进步，混汞法提金工艺也不断得到了改进和完善。由于环境保护要求日益严格，有的矿山取消了混汞作业，为重选、浮选和氰化法提金工艺所取代。

在黄金生产中，混汞法提金工艺仍有其重要的作用，在国内外均有应用实例。