CVD（Chemical Vapor Deposition）化学气相沉积工业人造金刚石

1）直流电弧等离子法CVD薄膜

采用化学气象直流电弧等离子体喷射法(DC Arc Plasma Jet) 此法用直流弧光放电，在低气压条件下，CH、CH等含碳气体经过高温分解，在H+、OH等活化基因作用下，在固态衬底上沉积而成的纯多晶结构金刚石。该法制备的CVD金刚石膜片，颜色为黄绿色，在灯光下呈半透明，为纯金刚石，薄膜尺寸可达到直径70mm。主要做修整工具用，按照磨耗比等级一般分为高中低单个等级，高级磨耗比80-100万，中级磨耗比30-50万，低级磨耗比20-30万。

2）热丝法CVD薄膜

利用高温（2200℃左右）热丝（钨丝、钽丝）将CH4H2混合气体解理激发，得到大量反应粒子、原子、电子离子，反应粒子混合后并经历一系列复杂化学反应到达基体表面，有吸附，有脱附进入气相，有扩散到基体近表面徘徊至合适反应点，如条件适宜，则成为金刚石。热丝化学气相沉积（HFCVD）金刚石薄膜技术成本较低，设备简单，而且易于大面积生长，因此，该方法能够生产出低成本的CVD金刚石薄膜。薄膜尺寸可达到直径100mm以上，颜色为黑色，不透光。主要做修整工具用，磨耗比相比较上述直流电弧等离子法而言，在10-20万左右，与低品级接近。