扩散炉翻新技术指标

1工作温度：200～13oo℃

2适用硅片尺寸：4～6英寸

3装片数量：正片100～300片/管

4炉体恒温区：300～1000mm

5恒温区精度：>800℃/±0.5℃ ，<800℃/±1℃

6单点温度稳定性：600～13oo℃/ ±0.5℃/24h

7可控升温速度：15℃/min

8降温速度：5℃/min(900～13oo℃)

9气源系统：进口配件、自动轨道焊接

10控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机(WINDOWS 系统，中文操作界面，方便简洁)

11 氧化工艺：片内≤±2%，片间≤±3%，批间≤±3%，

P预扩：方块电阻 6~20，片内片间≤±2.5%，片间≤±4%

可选配置：

1工艺管数量：1～4管

2工作台：有净化/无净化

3进出舟模式：手动送片/自动送片(悬臂模式、软着陆模式)

4适用工艺：氧化(干氧、湿氧)、扩散(磷扩、硼扩)、合金(氮气、氮氢)、退火等

5是否配置氢氧合成外点火炉

6是否配置氢氧合成硬件保护装置