苏州纳维科技有限公司成立于2007年5月，公司以中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，专注于从事氮化镓衬底晶片及相关设备的研发和产业化，提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利近三十项，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、10～30微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底，厚度0.35mm，Ga面位错腐蚀坑密度为105/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸氮化镓衬底，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。
苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，在氮化物半导体材料及应用领域成长为一家具有原创知识产权和核心竞争力的国际化高科技公司，为氮化物半导体产业的发展贡献力量。
2英寸氮化镓厚膜晶片
性能参数 (Specifications):
产品型号 (Item) | GaN-T-C-U-C50 | GaN-T-C-N-C50 | GaN-T-C-P-C50 |
尺寸 (Dimensions) | Ф 50.8mm ± 0.1mm |
厚度 (Thickness) | 4 µm, 20 µm | 4 µm |
晶体取向 (Orientation) | C-plane(0001) ± 0.5° |
导电类型 (Conduction Type) | N-type (Undoped) | N-type (Si-doped) | P-type (Mg-doped) |
电阻率 (Resistivity(300K)) | < 0.5 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm | ~ 10 Ω·cm |
载流子浓度 (Carrier Concentration) | < 5x1017 cm-3 | > 1x1018 cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
迁移率 (Mobility) | ~ 300cm2/V·s | ~ 200 cm2/V·s | ~ 10 cm2/V·s |
位错密度 (Dislocation Density) | Less than 5x108 cm-2 |
衬底结构 (Substrate structure) | GaN on Sapphire (Standard: SSP Option: DSP) |
有效面积 (Useable Surface Area) | > 90% |
包装 (Package) | Packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25pcs or single wafer containers, under a nitrogen atmosphere. |
* Other thickness can be customized
4英寸氮化镓厚膜晶片 性能参数 (Specifications):
产品型号 (Item) | GaN-T-C-U-C100 | GaN-T-C-N-C100 | 尺寸 (Dimensions) | Ф 100 mm ± 0.1 mm | 厚度 (Thickness) | 4 µm, 20 µm | 晶体取向 (Orientation) | C-plane(0001) ± 0.5° | 导电类型 (Conduction Type) | N-type (Undoped) | N-type (Si-doped) | 电阻率 (Resistivity(300K)) | < 0.5 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm | 载流子浓度 (Carrier Concentration) | < 5x1017 cm-3 | > 1x1018 cm-3 | 迁移率 (Mobility) | ~ 300cm2/V·s | ~ 200 cm2/V·s | 位错密度 (Dislocation Density) | Less than 5x108 cm-2 | 衬底结构 (Substrate structure) | GaN on Sapphire(Standard: SSP Option: DSP) | 有效面积 (Useable Surface Area) | > 90% | 包装 (Package) | Packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25pcs or single wafer containers, under a nitrogen atmosphere. |
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