SI2305 场效应管

品牌：TWGMC

型号：SI2305
封装：SOT23
包装：3000
年份：201806+
数量：600000
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P-沟道1.25-W，1.8-V(G-S)MOSFET特征·按照iec 61249-2-21的规定，不含卤素可得·TrenchFET功率MOSFET：1.8V额定电压产品总结VDS(V)RDS(ON)(Ω)ID(A)-80.052在VGS=-4.5V±3.50.071在VGS=-2.5V±30.108在VGS=-1.8V±2g.gT O-236(SOT-23)斯丁执行部分第五段2三1硅2305注：a.表面安装在FR4板上。B.t≤5 s.*含铅终端不符合RoHS要求，可申请豁免。绝对最高额定值TA=25°C，除非另有说明参数符号限制单位漏源电压vds-8v型栅源电压VGS±8连续漏电流(TJ=150°C)Ta=25°Cid±3.5阿Ta=70°C±2.8脉冲漏电流IDM±12连续源电流(二极管导通)a，b为-1.6最大功率耗散a，bTa=25°C局部放电1.25WTa=70°C 0.8操作连接和储存温度范围TJ，Tstg-55至150°C热阻额定值参数符号典型最大单位最大连接到-ambienta t≤5 sRthJA100°C/W稳态130www.tw-gmc.com 1SI2305注：a.仅用于设计AID，不受生产测试。b.脉冲试验：PW≤300μs，占空比≤2%。c.开关时间基本上与工作温度无关。超出“绝对最高等级”项下的压力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是压力等级和功能性操作。在这些或任何其他条件下，超出规范操作部分所示的条件的设备，并不是隐含的。暴露于绝对最大值长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。规格TJ=25°C，除非另有说明参数符号测试条件极限小。蒂普。马克斯。单位静态漏源击穿电压V(BR)DSS VGS=0 V，ID=-10μA-8v型门限值电压vgs(Th)vds=vgs，ID=-250μA-0.45-0.8栅体泄漏IGSS=0V，vgs=±8V±100 nA零栅电压漏电流IDSSVDS=-8V，VGS=0V-1μaVDS=-8 V，VGS=0 V，TJ=55°C-10状态漏电流ID(ON)VDS≤-5 V，VGS=-4.5 V-6阿VDS≤-5 V，VGS=-2.5V-3排水-源上-抗药性RDS(ON)VGS=-4.5V，ID=-3.5A 0.044 0.052VGS=-2.5V，ID=-3A 0.060 0.071ΩVGS=-1.8V，ID=-2A 0.087 0.108正向跨导体a GFS VDS=-5 V，ID=-3.5 A 8.5 S二极管正压VSD=-1.6 A，VGS=0 V-1.2 V动力b门总电荷QGVDS=-4V，VGS=-4.5V，ID≅-3.5A10 15栅源电荷qgs 2 nc栅漏电荷qgd 2输入电容CISSVDS=-4 V，VGS=0 V，f=1 MHz1245输出电容Coss 375 PF反向传输电容CRSS 210瑞士b开启时间TD(ON)vdd=-4V，rl=4ΩID≅-1.0 A，VGEN=-4.5 V，RG=6Ω13 20纳什TR 25 40关机时间TD(Off)55 80TF 19 35