型号：IRLML6401TRPBF

丝印：FEFBC​
类别：分立半导体产品
产品族：晶体管-FET MOSFET-单
系列：HEXFET
FET 类型:P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压：12V
电流：4.3A
驱动电压：1.8V-4.5V
功率耗散：1.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装：SOT23-3
包装：卷带 3000/盘

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