LMBT2222ALT1G 贴片三极管 稳压肖特基
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)() | 800mA |
电压 - 集电极发射极击穿() | 60V |
Vce饱和()@ IB,IC | 1.6V @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止() | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 150mA, 10V |
功率 - | 350mW |
频率转换 | 200MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-23 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
集电极发射极电压 | 60 V |
集电极直流电流 | 0.8 A |
最小直流电流增益 | 75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V |
工作频率 | 200(Min) MHz |
集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
功率耗散 | 350 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
标准包装 | Cut Tape |
集电极直流电流 | 0.8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
最低工作温度 | -55 |
功率耗散 | 350 |
基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 200(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
集电极基极电压 | 60 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
集电极发射极电压 | 60 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)() | 800mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 200MHz |
下的Vce饱和度() Ib,Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿() | 60V |
供应商设备封装 | SOT-23 |
功率 - | 350mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
其他名称 | MMBT2907AFSTR |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | General Purpose |
配置 | Single |
的基射极饱和电压 | 2.6 V |
集电极基极电压 | 60 V |
基地发射极电压 | 5 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | SOT-23 |
集电极电流( DC)(值) | 0.8 A |
集电极 - 基极电压 | 60 V |
集电极 - 发射极电压 | 60 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率() | 200 MHz |
功率耗散 | 0.35 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 100 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | PNP |
频率 | 200 MHz |
集电极电流(DC ) | 0.8 A |
直流电流增益 | 75 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
Transition Frequency ft | :200MHz |
功耗 | :350mW |
DC Collector Current | :800mA |
DC Current Gain hFE | :50 |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :SOT-23 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
Weight (kg) | 0.0005 |
Tariff No. | 85411000 |
Collector Emitter Voltage Vces | :-400mV |
连续集电极电流Ic | :800mA |
Current Ic Continuous a Max | :800mA |
Current Ic hFE | :150mA |
Device Marking | :BT2907A |
Gain Bandwidth ft Min | :200MHz |
Gain Bandwidth ft Typ | :200MHz |
Hfe Min | :100 |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Power Dissipation Ptot Max | :350mW |
SMD Marking | :2F |
Voltage Vcbo | :60V |