晶体管类型 ： P沟道MOSFET
功耗PD ： 1.25W
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温：55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
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