品牌：TI
型号：TPS73533DRVR
封装：QFN6
包装：3000
年份：1825+
产地：泰国
TPS73533DRVR 
数量：750000
瑞利诚科技（深圳）有限公司
联系人：Eason 
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备选器件推荐
TPS7A90  -  TPS7A90 is 500mA, low noise (4.7uVrms) LDO in a small package (2.5 mm x 2.5mm)
TPS7A87  - 器件与被比较器件具有相似功能，但并不功能等效。   TPS7A87 is a dual-channel, low noise, 500mA LDO.
TPS745  - 器件与被比较器件具有相似功能，但并不功能等效。   TPS745 is a 500mA ADJUSTABLE output LDO with lower dropout, lower Iq and Wider Vin with power good.

描述
TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45µA（典型值）接地电流。
TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。

特性
输入电压：2.7V 至 6.5V
带 EN 引脚的 500mA 低压降稳压器
低 IQ： 45µA
提供了多个输出电压版本：
1.2V 至 4.3V 固定输出
1.25V 至 6V 可调输出
高 PSRR：1kHz 频率下为 68dB
低噪声：13.2µVRMS
快速启动时间：45µs
使用陶瓷 2.2µF 低 ESR 输出电容器实现稳定运行
出色的负载和线路瞬态响应
2% 的总体精度（负载、线路和温度，VOUT > 2.2V）
极低的压降：500mA 电流下为 280mV
2mm × 2mm WSON-6 和
3mm × 3mm SON-8 封装


描述

在tps735低压差（LDO）线性稳压器，提供优良的低功率AC性能和极低的地面电流。高功率供应能力比（PSRR），低噪声，快速启动和负载瞬态响应和优良的线是提供在非常低的消费45μA（典型的）地面电流。
一个装置是稳定的tps735陶瓷电容和使用先进的BiCMOS制造过程产量的典型的低压差电压（A 280 mV在500 mA输出。在tps735装置使用A精密电压参考和反馈回路实现的整体精度（2%（Vout＞2.2 V）在所有负载，线路和温度的变化过程。这个装置是完全指定的TJ＝＋125℃到可能从提供的A和是低调的3毫米×3毫米，和一个8包2毫米×2毫米的波长6包。

特技
输入电压：2.7伏至6.5伏
500毫安低压差稳压器
低智商：45μA
多种输出电压版本可用：
1.2伏至4.3伏的固定输出
可调节输出从1.25 V到6 V
高PSRR：1 kHz的68分贝
低噪声：13.2伏VRMS
快速启动时间：45秒
稳定的陶瓷，2.2μF，Low ESR输出电容器
良好的负载和线路瞬态响应
2%整体精度（负载，线路，温度，VOUT＞2.2 V）
非常低的辍学率：280毫伏在500毫安
2毫米×2毫米WSON-6
3毫米×3毫米SON-8封装所有标均为其各自所有者的财产。
TPS735 500毫安，Low Quiescent电流，Low Noise，高PSRR，
低压差线性稳压器

特征

1输入电压：2.7伏至6.5伏
500毫安低压差稳压器
低智商：45μA
多种输出电压版本可用：
- 1.2伏至4.3伏的固定输出
-可调节输出从1.25 V到6 V
•高PSRR：68分贝在1千赫
低噪声：13.2μVRMS
快速启动时间：45μs
稳定的陶瓷，2.2μF，Low ESR输出
电容器
良好的负载和线路瞬态响应
2%整体精度（负载，线路，和
温度，VOUT＞2.2 V）
非常低的辍学率：280毫伏在500毫安
2毫米×2毫米WSON-6
3毫米×3毫米SON-8封装

描述

TPS735低压差（LDO），低功率线性

调节器具有极好的交流性能。

低接地电流。高电源抑制比

（PSRR）、低噪声、快速启动和优良线路

同时提供了负载瞬态响应。

消耗非常低的45μA（典型）接地电流。

TPS735器件采用陶瓷电容器稳定。

并采用先进的BiCMOS制造工艺

在500下产典型的280 mV的电压差。

MA输出。TPS735器件使用精度

电压基准与反馈环实现

在所有负载上的总精度为2%（VOUT＞2.2 V）；

线、过程和温度变化。这个装置

完全由TJ＝40°C到+125°C指定，并且是

提供低剖面，3毫米×3毫米SON-8

包装和一个2毫米×2毫米的WSON-6封装。

基于JEDEC标准方法的热模拟导出了DRB、DCQ和DRV封装的热数据。

在JESD51系列中指定。在模拟中使用以下假设：
（a）I.DRB：暴露的焊盘通过2×2热通孔阵列连接到PCB接地层。
二。DRV：暴露的焊盘通过2×2热通孔阵列连接到PCB接地层。由于热的尺寸限制
PAD，0.8毫米间距阵列使用的是JEDEC标准。
（b）I. DRB：假定顶部和底部的铜层具有20%的铜的热导率，代表20%的铜。
新闻报道。
II DRV：假定顶部和底部的铜层具有20%的铜的热导率，代表20%的铜。
（c）这些数据仅在JEDEC高k（2S2P）板的中心产生，具有3×3×3英寸铜区。到
了解铜区对热性能的影响，看功耗和估算结温部分。
（3）在JEDEC标准，高k板，AS模拟下获得自然对流下的环境热阻结。
在JESD51-7中指定的，在JESD51-2A中描述的环境中。