【TPS73533DRVR 单输出LDO 低噪声、高PSRR低压降稳压器】价格_厂家

TPS73533DRVR 单输出LDO 低噪声、高PSRR低压降稳压器

不限

￥2.50

中国深圳

产品属性

图文详情

品牌推荐

品牌

TI/德州仪器

型号

TPS73533DRVR

批号

1825+

封装形式

CSP

类型

数字集成电路

用途

通信

功能

逻辑电路

导电类型

单极型

封装外形

扁平型

集成度

中规模50~100

工作电源电压

2.7V 至 6.5VV

最大功率

VOUT > 2.2W

外形尺寸

2mm × 2mm WSON-6mm

2.7V

6.5V

品牌：TI

型号；TPS73533DRVR

封装：QFN6

包装：3000

年份：1825+

产地：泰国

数量：990000

TPS73533DRVR单输出LDO 低噪声、高PSRR 低压降稳压器

德州仪器TI 授权代理商

瑞利诚科技（深圳）有限公司

联系人：Eason

电话：13312991513

qq：1134043964

邮箱：13312991513@163.com

TPS735 单输出 LDO、500mA、可调节低静态电流、低噪声、高 PSRR

TPS7A90 - TPS7A90为500mA，低噪音(4.7uVrms) LDO小包装(2.5 mm x 2.5mm)
TPS7A87——器件与被比较器件具有相似功能,但并不功能等效。

TPS7A87是双通道,低噪音,500 ma LDO。
TPS745——器件与被比较器件具有相似功能,但并不功能等效。TPS745马是500可调输出LDO较低,低智商和更广泛的Vin力量好

描述
TPS735低压降(LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比(PSRR),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的45µa(典型值)接地电流。

TPS735器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的BiCMOS制造工艺,能够在输出500毫安电流时产生280 mv的典型压降电压.TPS735器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载,线路,过程和温度变化范围内实现2%的总体精度(输出电压> 2.2 v)此器件的额定TJ = -40°C至+ 125°C,采用薄型3毫米×3毫米SON-8封装和2毫米×2毫米WSON-6封装。

特性
输入电压:2.7 v至6.5 v
带在引脚的500毫安低压降稳压器
低智商:45µa
提供了多个输出电压版本:
1.2 v至4.3 v固定输出
1.25 v至6 v可调输出
高PSRR:1 khz频率下为68分贝
低噪声:13.2µvrms
快速启动时间:45µ
使用陶瓷2.2µf低ESR输出电容器实现稳定运行
出色的负载和线路瞬态响应
2%的总体精度(负载,线路和温度,输出电压> 2.2 v)
极低的压降:500马电流下为280 mv
2毫米×2毫米WSON-6和
3毫米×3毫米SON-8封装
TPS735 500 ma,低静态电流,低噪声,高PSRR
低压降线性稳压器

1特性
1•输入电压:2.7 v至6.5 v
•带在引脚的500毫安低压降稳压器
•低智商:45μa
•提供了多个输出电压版本:
- 1.2 v至4.3 v固定输出
- 1.25 v至6 v可调输出
•高PSRR:1 khz频率下为68分贝
•低噪声:13.2μvrms
•快速启动时间:45μs
•使用陶瓷2.2μf低ESR输出电容器实现稳定运行
•出色的负载和线路瞬态响应
•2%的总体精度(负载,线路和温度,输出电压>2.2 v)
•极低的压降:500马电流下为280 mv
•2毫米×2毫米WSON-6和
3毫米×3毫米SON-8封装

2应用
•后直流/直流转换器纹波滤除
•IP网络摄像机
•大型基站
•恒温器
3说明
TPS735低压降(LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比
(PSRR),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的45μa(典型值)接地电流。

TPS735器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的BiCMOS制造工艺,能够在输出
500年马电流时产生280 mv的典型压降电压.TPS735器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载,线路,过程和温度变化范围内实现2%的总体精度(输出电压> 2.2 v)。此器件的额定TJ = -40°C至+ 125°C,采用薄型3毫米×3毫米SON-8封装和2毫米×2毫米WSON-6封装

I / O描述
没有DRV DRB输入供应。0.1 -µf 1-µF、低ESR电容器必须从这个销到地面在设备附近。国民生产总值3 4地。这块垫子必须系在GND上。
驱动使能销(EN)高打开调节器。把这个销子压得很低就把调节器调低了进入关闭模式。如果不使用EN pin，则可以连接到IN pin。

NR 2 3 -这个引脚只适用于固定电压版本。连接外部电容器

这个引脚绕过由内部带隙产生的噪声，并允许输出噪音要降到很低的水平。电容器是0.01μF的最大限度。
此销钉仅适用于可调版本。FB引脚是控制循环的输入误差放大器，用于设置器件的输出电压。

这枚别针不能留下浮动。
这个引脚是调节器的输出。一个小,2.2 -μf陶瓷电容器是必需的钉在地面以确保稳定性。稳定所需的最小输出电容是2µF。

绝对最大额定参数

在-40°C≤TJ和TA≤+ 125°C(除非另外说明)。所有电压都与GND有关。
最小最大单位

电压-0.3 V 7
对-0.3 - 1.6 V
3vin + 0。3v
IOUT电流内部限制A
PD(tot)连续总功耗见热信息
TJ操作结温-40 150°C
测试存储温度-55 150°C
(1) JEDEC文件JEP155规定500-V HBM允许使用标准ESD控制过程进行安全制造。
(2) JEDEC文件JEP157表示，250-V CDM允许使用标准的ESD控制过程进行安全制造。

V静电放电(ESD)
的人体模型(HBM)/ ANSI / ESDA /电平js - 001,所有的针(1)±2000 V
根据JEDEC规范JESD22-C101，所有设备型号(CDM)销(2)±500 V
(1)当操作在TJ 125°C附近IOUTμA(分钟)是500。
(2)可调版本只。
6.3推荐的操作条件
超过工作接点温度范围(除非另有说明)
最小公称最大单位
VIN输入电压2.7 6.5 V
输出电压
输出电流(1)0500ma
助教营业自由空间温度-40 125°C
输入电容1µF CIN
2µF COUT输出电容
CNR降噪电容器10nf
CFF前馈电容(2)3221000 pF110 kΩR2反馈电阻器(2)

TPS735(2)

DRB(子)DRV (WSON)单元8针6针
RθJA Junction-to-ambient热阻(3)52.2 - 65.1°C / W
RθJC(上)Junction-to-case(上)热阻(4)59.4 - 85.6°C / W
RθJB Junction-to-board热阻19.3 - 34.7°C / W
ψJT Junction-to-top特征参数(5)2 1.6°C / W
ψJB Junction-to-board特征参数(6)19.3 - 35.1°C / W
RθJC(bot)Junction-to-case(底部)热阻(7)11.8 - 5.8°C / W
(1)有关传统和新热度量的更多信息，请参阅半导体和集成电路封装热度量的应用告。
(2)基于jedecs标准方法的热模拟得到DRB、DCQ和DRV包的热数据
在JESD51系列中指定。在模拟中使用了以下假设:(a) i. DRB:所述外露垫通过一个2x2热via阵列连接到PCB底层。
二世。DRV:通过一个2×2热via阵列连接到PCB底层。由于热尺寸限制垫，0.8毫米间距阵列使用是脱离JEDEC标准。
(b) i. DRB:假设顶部和底部的铜层具有20%的铜导热率，表示20%的铜报道。
ii DRV:假设顶部和底部的铜层具有20%的热导率，表示20%的铜报道。
(c)这些数据生成只有单一设备的中心电平high-K(2 s2p)与3×3铜。来了解铜面积对热工性能的影响，查看功耗和结温估算部分。
(3)通过在jedecs标准高k板上的模拟，得到了自然对流下的环境热电阻在JESD51-7中指定，在JESD51-2a中描述的环境中。
(4)通过模拟箱体顶部的冷板试验，得到箱体(顶)的热电阻。没有具体JEDECstandard测试是存在的，但是在ANSI半标准的G30-88中可以找到详细的描述。
(5)junction-to-top表征参数,ψJT,估计设备的结温在实际系统和提取从仿真数据获得θJA使用过程中描述JESD51-2a(部分6和7)。
(6)junction-to-board表征参数,ψJB,估计设备的结温在实际系统和提取从仿真数据获得θJA使用过程中描述JESD51-2a(部分6和7)。
(7)通过模拟在外露(电源)垫上的冷板试验，得到了接壳(底部)的热电阻。没有具体的JEDEC标准测试是存在的，但是在ANSI半标准G30-88中可以找到详细的描述。

TPS735的低辍学率(LDO)调节器结合了射频(RF)所要求的高性能
以及具有超低电流消耗的精密模拟应用。高PSRR由高增益提供，
高带宽误差环路具有良好的电源拒绝和非常低的净空(VIN - VOUT)。固定电压版本
提供一个降噪引脚，以绕过由带隙参考产生的噪声，并提高PSRR。

快速启动电路在启动时快速给这个电容器充电。高性能与低地面的结合
目前，TPS735设备设计为便携式应用。所有版本都有热电流和过电流保护和指定从-40°C≤TJ≤+ 125°C。

功能描述
内部电流限制
TPS735内部电流限制在故障情况下保护调节器。在当前限制期间，输出
与输出电压无关的固定电流。为可靠运行，请勿操作长时间的电流限制装置。

TPS735器件中的PMOS通道元件包含一个内置的体二极管，用于在
外销处的电压超过内销处的电压。这个电流不受限制，所以如果扩展反向电压运行正常，外部限制适当。
使能引脚(EN)是有源高，并兼容标准和低压TTL-CMOS电平。当不需要关闭能力，EN脚可以连接到IN脚。

TPS735器件采用PMOS通型晶体管实现低辍学率。当(VIN - VOUT)小于

压差电压(VDO)， PMOS通断装置处于线性工作区域和输入-输出
PMOS孔型元件的电阻(R(进/出))。由于PMOS器件，VDO随输出电流的变化而变化就像电阻器在放电。
与任何线性调节器一样，PSRR和瞬态响应在(VIN - VOUT)接近退出时下降。典型的特征显示了这个效果;通过图10(见图8)。

启动降噪电容器
TPS735的固定电压版本使用快速启动电路为降噪电容器(CNR)充电
如果存在(参见功能框图)。这种结构允许低输出噪声和快速的结合
启动时间。NR引脚是高阻抗的，所以必须使用低泄漏的CNR电容器。大多数陶瓷
在这种配置中，电容器是合适的。是一种高质量的、cog型(NPO)介电陶瓷电容器建议在温度可能突然变化的环境中使用CNR。
对于最快的启动，首先应用VIN，然后驱动使能(EN)针高。如果EN与IN捆绑在一起，启动就会变慢。
看到典型的应用程序。大约135μs快速启动开关关闭。确保CNR收费在快速启动时间,使用一个电容值不超0.01μF。

瞬态响应
与任何调节器一样，增加输出电容的大小可以减少过冲和过冲幅度
但是增加了瞬态响应时间。在可调版本中，在OUT和FB之间添加CFF
销提高稳定性和瞬态响应性能。TPS735器件的瞬态响应为
由主动下拉加强，当输出超冲约5%或更多时启动该设备启用。下拉装置的工作原理就像400 -Ω电阻接地时启用。

欠压锁定
TPS735设备使用一个欠压锁定电路来禁用输出，直到内部电路关闭
正常运作。UVLO电路包含一个deglitch特性，这样UVLO就忽略了欠冲瞬变输入如果瞬变不到50μs持续时间。

最小负载
TPS735装置稳定，无输出负载。以满足指定的精度,负载500μA最低
必需的。如果输出是低于500µA如果结温是大约125°C,输出
增加足够的量以打开输出下拉菜单。输出下拉限制电压漂移到5%(通常)但是
地面电流可以增加大约50μA。在大多数应用中，接点不会达到很高
在轻负载下的温度，因为耗散的功率很小。因此，指定的接地电流在大多数应用程序中没有负载

热保护时禁用输出接点温度增加到大约165°C

让设备冷却。当接点温度冷却到约145°C,输出电路启用。

根据功耗，热电阻和环境温度，热保护
电路循环时开时关。这种循环限制了调节器的耗散，保护了调节器的安全过热造成的损坏。
任何激活热保护电路的倾向都表明功率损耗过大或不足
散热器。运行可靠,接点温度限制在125°C(最大值)

估计热余量在一个完整的设计中(包括散热器)，增加环境温度直到热保护
触发。使用最坏情况负载和信号条件。对于可靠的操作，至少触发热保护
40°C以上的最大预期一个特定应用程序的环境条件。这个配置生成一个
最坏的结温125°C的最高环境温度和最坏的负载。
TPS735的内部保护电路可以防止过载。该保护电路
不打算取代适当的散热下沉。连续运行TPS735进入热停堆退化设备的可靠性。

该装置在以下条件下调节额定输出电压:
•输入电压之前超过UVLO电压，未低于UVLO阈值- Vhys。
•输入电压大于外加电压的额定输出电压。
•使能电压之前已经超过使能上升阈值电压，并且没有降低
低于使能下降阈值。
输出电流小于电流极限。
•设备结温在指定范围内。

辍学操作如果输入电压低于标称输出电压加上指定的电压，但所有其他

在正常运行条件下，设备工作在停车模式下。在这种情况下，输出
电压等于输入电压减去停止电压。设备的瞬态性
因为传递设备处于三极管状态，LDO就像一个电阻一样工作。行或负载瞬态放电会导致输出电压偏差较大。
该设备在以下条件下被禁用:•输入电压小于UVLO阈值减去Vhys，或尚未超过UVLO阈值。
•使能电压小于使能下降阈值电压或尚未超过使能上升阈值。
•设备结温大于热停机温度。

应用程序信息

TPS735 LDO调节器提供了一种超低噪音、高PSRR、低辍学线性调节的设计与一个非常小的接地电流(5µA,典型的)。
该器件具有稳定的陶瓷电容，全输出额定电压280 mV
500 mA。TPS735装置的特点使LDO调节器可以广泛应用于多种场合最小设计复杂度的应用程序。

输入和输出电容器的要求

虽然一个输入电容稳定,不需要连接一个0.1 -μf辐射量1-μF低seriesresistance
(ESR)电容器穿过靠近调节器的输入电源是很好的模拟设计实践。

这电容器抵消无功输入源，改善瞬态响应和纹波抑制。

一个高价值如果预期有大的、快速的、上升时间负载瞬变，或者设备位于多个位置，则可能需要电容

离电源几英寸。如果源阻抗不是足够低,0.1 -μf输入电容需要确保稳定。
该tps735装置设计稳定与标准陶瓷输出电容器的价值2μF或更大。

X5R-和x7r型电容器是最好的，因为这些电容器具有最小的变化率
温度和ESR。输出电容器的最大ESR < 1Ω,因此输出电容器类型必须是陶瓷或导电聚合物电解。

前馈电容器需求前馈电容器(CFF),图16所示,需要稳定。对于R1和R2的平行组合
等于250 kΩ之间的任何值3 pF 1 nF可以使用。固定电压版本有一个内部30-pF
启动时快速充电的前馈电容器。更大的价值电容器改善噪音轻微。的
PS735设备在无CFF的情况下，在unity-gain配置下是稳定的(OUT pin与FB pin相连)。

输出噪声在大多数LDO调节器中，带隙是主要的噪声源。如果使用降噪电容器(CNR)在TPS735设备中，带隙对噪声影响不大。

噪声是由输出电阻分压器和错误放大器输入。为使给定应用程序中的噪声最小化，使用10-nF噪声减少电容器。

对于可调版本，小值电阻在输出电阻分压器减少噪音。
并行组合产生2μA分配器电流相同的噪声性能作为一个固定的电压版本与中国北车。

进一步优化噪音,设置输出电容器的ESR大约0.2Ω。

这配置使控制环的相位裕度最大化，从而将总输出噪声降低到10%。“透明国际”建议最大电容值为10nf。
公式1计算近似综合输出噪声从10赫兹至100千赫的CNR值tps735可调版没有降噪引脚，所以超低噪音操作不可能的。

该装置设计在输入电压2.7 V到6.5 V之间工作。