描述
LM5106是一款高压栅极驱动器，设计用于同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够处理高达100V的轨电压。单个控制输入与TTL信号电平兼容，单个外部电阻通过紧密匹配的导通延迟电路对开关转换死区时间进行编程。强大的电平转换技术可在高速运行，同时消耗低功耗并提供干净的输出转换。当低压侧或自举高压侧电源低于工作阈值时，欠压锁定会禁用栅极驱动器。 LM5106采用VSSOP-10或耐热增强型10引脚WSON塑料封装。
品牌：TI
型号：LM5106MMX/NOPB
封装：MSOP10
包装：3500
年份：1825+
数量：750000
产地：MY 马拉西亚
瑞利诚科技（深圳）有限公司
联系人：Eason/业助（何小姐）
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特性
驱动高侧和低侧N通道
MOSFET
1.8 A峰值输出灌电流
1.2-A峰值输出源电流
自举电源电压范围高达118 V DC
单TTL兼容输入
可编程开启延迟（死区时间）
启用输入引脚
快速关断传播延迟（典型值为32 ns）
驱动1000 pF，15 ns上升和10 ns下降时间
供电轨欠压锁定
低功耗
WSON-10（4 mm×4 mm）和VSSOP-10封装
特点3描述
1 LM5106是一款高压栅极驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N通道
MOSFET驱动高侧和低侧N沟道
MOSFET采用同步降压或半桥
•1.8 A峰值输出灌电流配置。漂浮的高端驱动程序可以工作
•1.2-A峰值输出源电流，轨道电压高达100 V.单控制输入
•高达118V DC的自举电源电压范围与TTL信号电平和单个信号电平兼容
外部电阻器用于编程开关转换
•单个TTL兼容输入死区时间通过紧密匹配的开关延迟
•可编程的Turnon延迟（死区）电路。强大的电平转换技术运行于
•启用输入引脚高速，同时消耗低功率并提供清洁输出转换。
欠压锁定•快速关断传播延迟（典型值为32 ns）（UVLO）在低电平时禁用栅极驱动器
•驱动1000 pF，具有15 ns的上升沿和10 ns的下降沿或自举的高端电源电压为
时间低于运行阈值。提供LM5106
•10引脚VSSOP中的电源轨欠压锁定或热增强型10-
WSON塑料封装引脚。
•低功耗
•10针WSON封装（4 mm×4 mm）和10-器件信息（1）
引脚VSSOP封装部件编号封装体尺寸（NOM）
VSSOP（10）3.00 mm×3.00 mm 2应用LM5106
WSON（10）4.00 mm×4.00 mm
•固态电机驱动器
（1）对于所有可用的包裹，请参阅可订购的附录
•半桥和全桥功率转换器是数据表的末尾。
绝对最大额定值（1）（2）
MIN MAX UNIT
VDD至VSS -0.3 18 V
HB至HS -0.3 18 V.
IN和EN至VSS -0.3 VDD + 0.3 V.
LO至VSS -0.3 VDD + 0.3 V.
HO至VSS HS - 0.3 HB + 0.3 V.
HS到VSS
（3）100 V
HB至VSS 118 V.
RDT至VSS -0.3 5 V.
结温150°C
储存温度范围，Tstg -55 150°C
（1）绝对最大额定值表示可能发生组件损坏的限制。
推荐的操作条件是
确保设备运行的条件。运营评级并不意味着确保性能限制。为了确保
性能限制和相关测试条件，请参见电气特性。
（2）如果需要军用/航空航天，请联系德州仪器销售办事处/经销商以获取可用性和
规格。
（3）在应用中HS节点被外部下N-MOSFET的体二极管钳位，因此HS电压一般会
但是在某些应用中，电路板电阻和电感可能导致HS节点超过此规定
瞬间电压。如果HS上出现负瞬态，则HS电压绝不能比VDD - 15 V更负。例如，如果
VDD = 10 V，HS的负瞬态电压不.
LM5102
热量表（1）DGS DPR（2）单位
10针10针
RθJA结至环境热阻165.3 37.9
RθJC（顶部）结到壳（顶部）热阻58.9 38.1
RJJ结对板热阻54.4 14.9
°C / W.
ψJT结顶特征参数6.2 0.4
ψJB结至电路板特性参数83.6 15.2
RθJC（机器人）结到壳（底部）热阻N / A 4.4
（1）有关传统和新热量度量的更多信息，请参阅IC封装热量度量应用报告（SPRA953）。
（2）四层板，铜成品厚度1.5盎司，1盎司，1盎司，1.5盎司。 使用的最大芯片尺寸。 PCB顶部的5倍长度铜迹线。
PCB中嵌入50 mm×50 mm接地和电源计划。 请参见应用笔记AN-1187无引线引线框架封装（LLP）（SNOA401）。
电气特性
MIN和MAX限制适用于整个工作结温范围。除非另有说明，否则TJ = + 25°C，VDD =
HB = 12 V，VSS = HS = 0 V，EN = 5 V.不要加载LO或HO。
RDT =100kΩ
供应电流
IDD VDD静态电流IN = EN = 0 V 0.34 0.6 mA
IDDO VDD工作电流f = 500 kHz 2.1 3.5 mA
IHB总HB静态电流IN = EN = 0 V 0.06 0.2 mA
IHBO总HB工作电流f = 500 kHz 1.5 3 mA
IHBS HB至VSS电流，静态HS = HB = 100 V 0.110μA
IHBSO HB至VSS电流，工作f = 500 kHz 0.5 mA
INPUT IN和EN
VIL低电平输入电压阈值0.8 1.8 V
HIV高电平输入电压阈值1.8 2.2 V.
Rpd输入下拉电阻引脚IN和EN 100 200500kΩ
死亡控制
VRDT标称电压，RDT 2.7 3 3.3 V
IRDT RDT引脚电流限制RDT = 0 V 0.75 1.5 2.25 mA
欠压保护
VDDR VDD上升阈值6.2 6.9 7.6 V
VDDH VDD阈值滞后0.5 V.
VHBR HB上升阈值5.9 6.6 7.3 V
VHBH HB阈值滞后0.4 V.
LO GATE DRIVER
VOLL低电平输出电压ILO = 100 mA 0.21 0.4 V.
VOHL ILO = -100 mA，高电平输出电压0.5 0.85 V.
VOHL = VDD - VLO
IOHL峰值上拉电流LO = 0 V 1.2 A.
IOLL峰值下拉电流LO = 12 V 1.8 A.
HO GATE DRIVER
VOLH低电平输出电压IHO = 100 mA 0.21 0.4 V.
VOHH IHO = -100 mA，高电平输出电压0.5 0.85 V.
VOHH = HB - HO
（1）最小和最大限制是在25°C下100％生产测试。通过相关性确保工作温度范围内的限制
使用统计质量控制（SQC）方法。限制用于计算平均传出质量水平（AOQL）
电气特性（续）
MIN和MAX限制适用于整个工作结温范围。除非另有说明，否则TJ = + 25°C，VDD =
HB = 12 V，VSS = HS = 0 V，EN = 5 V.不要加载LO或HO。
符号参数测试条件MIN TYP MAX UNIT
IOHH峰值上拉电流HO = 0 V 1.2 A.
IOLH峰值下拉电流HO = 12 V 1.8 A.
耐热性
θJA连接到环境参见（2）（3）40°C / W.
（2）四层板，铜成品厚度1.5 / 1.0 / 1.0 / 1.5盎司。使用的最大芯片尺寸。 PCB顶部的5倍长度铜迹线。 50毫米
×50 mm嵌入PCB的接地和电源计划。参见AN-1187无引线引线框架封装（LLP），SNOA401。
（3）θJA不是封装的常数，取决于印刷电路板的设计和工作条件。
6.6开关特性
MIN和MAX限制适用于整个工作结温范围。除非另有说明，否则TJ = + 25°C，VDD =
HB = 12 V，VSS = HS = 0 V，LO或HO无负载（1）
。
符号参数测试条件MIN TYP MAX UNIT
tLPHL较低的关断传播延迟32 56 ns
tHPHL上部关断传播延迟32 56
tLPLH较低的导通传播延迟RDT = 100k 400 520 640
tHPLH上导通传延迟RDT = 100k 450 570 690
tLPLH较低的导通传播延迟RDT = 10k 85 115 160
tHPLH上导通传延迟RDT = 10k 85 115 160
十，tsd启用和关闭传播延迟36
DT1，DT2死区时间LO OFF至HO ON＆HO OFF至RDT = 100k 510
LO ON RDT = 10k 86
MDT死区匹配RDT = 100k 50
tR输出上升时间CL = 1000pF 15
tF输出下降时间CL = 1000pF 10
（1）最小和最大限制是在25°C下100％生产测试。通过相关性确保工作温度范围内的限制
使用统计质量控制（SQC）方法。限制用于计算平均传出质量水平（AOQL）。
概观
LM5106是一款带有Enable的单PWM输入栅极驱动器，可提供可编程的死区时间。 死时间
在RDT引脚上设置一个电阻，可在100 ns至600 ns范围内调节。 广泛的死时间
编程范围可灵活地优化各种MOSFET的驱动信号时序
应用
RDT引脚偏置为3 V，电流限制为1 mA最大编程电流。 时间延迟
发生器将容纳从5k到100k的电阻值，其死区时间与RDT成比例
阻力。 将RDT引脚接地可编程LM5106，以最小的死区时间驱动两个输出
启动和UVLO
顶部和底部驱动器都包括欠压锁定（UVLO）保护电路，用于监控电源
电压（VDD）和自举电容电压（HB-HS）独立。 UVLO电路抑制每个驱动器
直到有足够的电源电压可以打开外部MOSFET，并且UVLO滞后可以防止
电源电压转换期间的抖动。 当电源电压施加到LM5106的VDD引脚时，
顶部和底部栅极保持低电平VDD超过UVLO阈值，通常约为6.9 V.任何UVLO
自举电容上的条件将仅禁用高侧输出（HO）。
