MOSFET/场效应管 SI2300

产品型号：SI2300

产品封装：SOT-23

产品品牌：HC/浩畅

是否环保：无铅环保

最小包装：3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:20V

漏极电流（ID）:3.8A

漏源电流脉冲IDM:15A

栅源电压（VGS）: ±10V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.25W

栅源极开启电压VGS(th):0.55~1.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

什么是MOS管：

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

　　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。