碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能，具有与氮化镓（GaN）相近的晶格常数和热膨胀系数，不仅是制作高亮度发光二极管（HB-LED）的理想衬底材料，也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。
碳化硅衬底规格书
Grade： Production / Research / Dummy
Micropipe Density： < 5 cm-2 / < 15 cm-2 / < 50 cm-2
Orientation： or Others
Off cut： 4° toward
Diameter： 2inch / 3inch / 4inch / 6inch
Thickness： 330 / 350 / 350 / 350 um
Type： 4H-N / 6H-N / 4H-SI / 6H-SI
Resistivity： 0.015~0.028 / 0.02~0.1 / >1E5 Ohm-cm
Surface Finish： SSP / DSP / As cut / Lapped / Etched
Flat / Notch： 2 Flat ，SEMI-Std.
Package： Class 100 clean room and vacuum nitrogen , 1or25pcs in each cassette
产品定制与细节请联系 derry@helioswafer.com
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Package： Class 100 clean room and vacuum nitrogen , 1or25pcs in each cassette
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