供应2寸3寸4寸6寸Si/Zn掺LED/LD用半绝缘砷化镓衬底晶片

砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比，具有很高的电子迁移率（约为硅材料的5.7倍）以及宽禁带结构。同样条件下，它能更快的传导电流。我们可以利用砷化镓半导体材料制备微波器件，它在卫星数据传输、移动通信、GPS全球导航等领域具有关键作用。

      砷化镓半导体的一个重要特性是它的光电特性。由于它具有直接带隙（通过吸收或放出光子能量，电子从价带直接跃迁到导带，从而有较高发光效率）以及宽禁带等机构，它的发光效率比硅、锗等半导体材料高。它不仅可以用来制作发光二极管、光探测器，还能用来制备半导体激光器，广泛用于光通信等领域。此外，砷化镓半导体材料还具有耐高温、低功率等特性，在卫星通讯领域有着广泛应用。

砷化镓衬底规格书   

Orientation：                          /  or  Others

Diameter：                             2inch / 3inch / 4inch / 6inch

Thickness：                            350  / 625  / 625 /  675 um

Type：                                          P-Type     /   N-Type    /   Intrinsic

Dopant：                                          Zn       /      Si         /   Undoped

Resistivity：                                    ----      /     ----         /   ≥1E7   Ω.cm

Mobility：                                50~120       /  1000~2500 /   ≥5000  cm2/v.s.

Carrier Concentration：         (0.5~5)E19  / (0.8~4)E18  /  ----      cm-3 

Surface Finish：                      SSP / DSP / As cut / Lapped / Etched

Flat / Notch：                         SEMI-Std. / Notched  

Package：                               Class 100 clean room and vacuum nitrogen , 1or25pcs in each cassette

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